申请/专利权人：湘潭大学

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117904599A

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;C23C16/30;C30B25/00;C30B29/46;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B19/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法。采用化学气相沉积法，基于基底工程、快速降温等策略，生长出大面积、高质量、高均匀性的褶皱二硒化钨纳米结构。通过对基底、生长温度、限域高度的调节，可以实现对二硒化钨纳米褶皱结构波长、幅度的有效调控。本发明无需在生长过程中使用催化剂，避免了其它杂质元素的引入，制备工艺较为简单。该褶皱二硒化钨纳米结构的合成方法具有制备效率高、低成本等优点，可以满足工业界大规模生产的需求，在光电探测、传感器、成像等技术领域具有广泛的应用前景。

主权项：1.一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.以钠钙玻璃作为基底，将三氧化钨箔放置其上方并推入至管式炉加热区中心，按照气流上游至下游的方向，将装有硒粉的石英舟放置在管式炉上游管口位置；S2.打开气流阀门，清洗反应腔，然后在氢氩混合气体的通入条件下程序升温至加热区中心温度为780℃~820℃，并保持8min~25min，并将装有硒粉的石英舟放置于距加热中心20~25cm处；S3.待生长结束后，保持氢氩混合气体持续通入，使管式炉自然降温至650℃~700℃时打开管式炉，炉内温度快速降低至室温，得到褶皱二硒化钨纳米片或和纳米带，即褶皱二硒化钨纳米结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湘潭大学 一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法

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