申请/专利权人：谷歌有限责任公司

申请日：2016-09-13

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117915758A

主分类号：H10N69/00

分类号：H10N69/00;H10N60/82;H10N60/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：公开了堆叠量子器件和用于制造堆叠量子器件的方法。所提出的器件包括：包括超导量子位的第一芯片102；结合到第一芯片的第二芯片104，第二芯片包括基底108，其包括第一和第二相反表面，面向第一芯片的第一表面101包括超导体材料层105，该超导体材料层包括第一电路元件。第二芯片还包括在第二表面103上的包括第二电路元件的第二层107以及贯通连接器109，贯通连接器从第一表面延伸到第二表面，并且将超导体材料层的一部分电气连接到第二电路元件。

主权项：1.一种堆叠量子器件，包括：第一芯片，其包括量子位；和第二芯片，其结合到第一芯片，所述第二芯片包括基底，所述基底包括相反的第一表面和第二表面，所述第一表面面向第一芯片，其中所述第二芯片还包括在基底的第一表面上的单层超导体材料，所述单层超导体材料包括第一电路元件，在基底的第二表面上的多个沉积层，所述多个沉积层包括第一沉积电介质层和沉积超导体层，其中所述多个沉积层形成第二电路元件，以及连接器，所述连接器从基底的第一表面延伸到基底的第二表面，并将第一电路元件电气连接到第二电路元件，其中，没有沉积电介质材料与所述基底的第一表面直接接触或者与所述单层超导体材料的面向所述第一芯片的表面直接接触，其中，所述第一电路元件包括测量读出谐振器，所述测量读出谐振器能操作地耦合到所述第一芯片的量子位，以及其中，所述第二电路元件是放大器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 谷歌有限责任公司 堆叠量子器件和用于制造堆叠量子器件的方法

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