申请/专利权人：浙江睿熙科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913658A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：公开了一种VCSEL激光器及其离子注入方法。所述VCSEL激光器的离子注入方法包括：从VCSEL激光器半成品的至少一结构层的外边缘倾斜地向其内注入离子，其中，至少部分离子从顶部DBR形成层的外边缘倾斜地进入所述顶部DBR形成层。这样的离子注入方式使得离子在自上而下的方向上从所述顶部DBR形成层的外边缘向内扩散的范围逐渐增大，进而使得由注入了离子的顶部DBR形成层所形成的顶部DBR层中，顶部DBR层的上表面的电阻小于所述顶部DBR层的上表面以下的注入了离子的部分的电阻。

主权项：1.一种VCSEL激光器，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构包括：衬底层；外延主体结构；所述外延主体结构位于所述衬底层上，所述外延主体结构自下而上包括底部DBR层、有源区、顶部DBR层和顶部电极接触层；所述外延主体结构在所述VCSEL激光器所设定的径向上被划分为电流限制区和电流通过区，所述电流限制区环绕于所述电流通过区的外围；所述电流限制区从所述外延主体结构的外边缘向内延伸；所述电流限制区中布置有离子；其中，所述顶部DBR层的上表面为所述顶部DBR层与所述顶部电极接触层之间的交界面；所述电流限制区在从所述顶部DBR层的上表面向下的方向上，向内延伸的长度逐渐增大；第一电极，所述第一电极连接于所述外延结构；以及第二电极，所述第二电极连接于所述外延结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江睿熙科技有限公司 VCSEL激光器及其离子注入方法

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