申请/专利权人：长春理工大学

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913650A

主分类号：H01S5/10

分类号：H01S5/10;H01S5/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本申请涉及半导体激光技术领域，公开了一种双波长输出的半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器包括光栅结构，光栅结构包括侧向耦合光栅和脊光栅；侧向耦合光栅包括两组周期相同、占空比相同的侧向光栅，以及设于两组侧向光栅中间的连接波导；脊光栅在连接波导上刻蚀生成。采用脊光栅和侧向耦合光栅相结合，可以很好地保证光栅反射谱中具有两个反射峰，通过改变侧向耦合光栅的宽度，可以增强对应光栅的耦合系数，使得侧向耦合光栅和脊光栅的耦合强度基本相同，可以实现强度基本一致的双波峰激射。侧向光栅与脊光栅之间刻蚀有凹槽，可以减少侧向耦合光栅和脊光栅之间的模式竞争。

主权项：1.一种双波长输出的半导体激光器，包括光栅结构，其特征在于，所述光栅结构包括侧向耦合光栅和脊光栅；所述侧向耦合光栅包括两组周期相同、占空比相同的侧向光栅，以及设于两组所述侧向光栅中间的连接波导；所述脊光栅在所述连接波导上刻蚀生成；所述侧向光栅与所述脊光栅之间刻蚀有凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学 一种双波长输出的半导体激光器及其制备方法

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