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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2024-01-10
公开（公告）日：2024-04-19
公开（公告）号：CN117909144A
主分类号：G06F11/20
分类号：G06F11/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开
摘要：一种CXL内存模组、控制芯片、方法、介质和系统，涉及CXL内存模组领域，其中，CXL内存模组包括控制芯片以及控制芯片管理的多个内存芯片，多个内存芯片中设置多个第一存储空间和作为冗余存储空间的至少一个第二存储空间；控制芯片被配置为：利用替换字代替失效字存储数据，并记录具有替换关系的替换字与失效字之间的地址对应关系，其中，替换字为第二存储空间中有效的字，失效字为第一存储空间中失效的字，地址对应关系包括替换字的内存地址和失效字的内存地址。大大降低了修复失效存储单元所消耗的存储单元的数量，有助于提高内存芯片的利用率。
主权项：1.一种CXL内存模组，包括控制芯片与所述控制芯片管理的多个内存芯片，其特征在于，所述多个内存芯片中设置多个第一存储空间和作为冗余存储空间的至少一个第二存储空间；所述控制芯片被配置为：利用替换字代替失效字存储数据，并记录具有替换关系的替换字与失效字之间的地址对应关系，其中，所述替换字为所述第二存储空间中有效的字，所述失效字为所述第一存储空间中失效的字，所述地址对应关系包括替换字的内存地址和失效字的内存地址。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 CXL内存模组、控制芯片、方法、介质和系统
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