申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117915747A

主分类号：H10N10/01

分类号：H10N10/01;H10N10/852;B82Y40/00;B82Y30/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种Ti掺杂纳米粒状碲化铋基热电薄膜及其制备方法，包括以下步骤：在衬底表面溅射沉积Ti薄膜层；衬底温度升至250～350℃，再在所述Ti薄膜层表面溅射沉积碲化铋基薄膜层，退火，得到高015择优取向的纳米粒状碲化铋基热电薄膜；溅射沉积碲化铋基薄膜的功率为100～300W，溅射速率为碲化铋基薄膜厚度1～15μm。本发明上述方法制得的薄膜致密度高，结晶性很高，多数晶粒具有纳米级尺寸，薄膜具有超低电阻率～5.27×10‑4Ω·cm和超高的功率因子～66.6μWcmK2，热电性能优异，为促进高功率密度和高制冷密度的热电薄膜器件技术发展和商业化应用提供了技术途径。

主权项：1.一种Ti掺杂纳米粒状碲化铋基热电薄膜的制备方法，包括以下步骤：在衬底表面溅射沉积Ti薄膜层；衬底温度升至250～350℃，再在所述Ti薄膜层表面溅射沉积碲化铋基薄膜层，退火，得到Ti掺杂纳米粒状碲化铋基热电薄膜；溅射沉积碲化铋基薄膜的功率为100～300W，溅射沉积速率为

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种Ti掺杂纳米粒状碲化铋基热电薄膜及其制备方法

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