申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912944A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L21/768;H01L29/739;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种IGBT器件及制作方法，该方法包括：提供衬底，于衬底中形成若干有效沟槽结构及位于相邻有效沟槽结构之间的若干无效沟槽结构；于衬底中形成体区和源区；于衬底上形成绝缘层，于绝缘层中形成第一导电接触孔和第二导电接触孔，第一导电接触孔的一部分与源区接触，另一部分与体区接触，第二导电接触孔位于相邻的无效沟槽结构之间并与体区接触，第二导电接触孔与体区的接触区域宽度范围为0.05～0.1um。本发明中第二导电接触孔与体区的接触区域的宽度范围为0.05～0.1um，消除栅极负电容效应，提升IGBT器件开通时dvdt控制能力，减小电流震荡，降低EMI噪音；并且降低空穴流出速度，对饱和压降影响小。

主权项：1.一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，于所述衬底中形成沟槽结构，所述沟槽结构由所述衬底的上表面向下延伸至所述衬底的内部，所述沟槽结构包括若干有效沟槽结构及位于相邻的所述有效沟槽结构之间的若干无效沟槽结构；于所述衬底中形成体区和位于所述体区中的源区，所述体区的上表面构成所述衬底上表面的一部分，所述源区的上表面构成所述衬底上表面的一部分，其中，所述体区的深度不超过所述沟槽结构的深度，所述源区位于所述有效沟槽结构的侧面；于所述衬底上形成绝缘层，于所述绝缘层中形成第一导电接触孔和第二导电接触孔，其中，所述第一导电接触孔的一部分与所述源区相接触，所述第一导电接触孔的另一部分与所述体区相接触，所述第二导电接触孔位于相邻的所述无效沟槽结构之间并与所述体区相接触，所述第二导电接触孔与所述体区的接触区域的宽度范围为0.05～0.1um；于所述绝缘层上形成正面金属层，所述正面金属层与所述第一导电接触孔及所述第二导电接触孔电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种IGBT器件及制作方法

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