申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2024-01-23

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912611A

主分类号：G16C60/00

分类号：G16C60/00;G16C20/50;G16C20/30;G06F30/28;G06F119/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种半导体材料技术领域的分析α‑Ga2O3生长情况的氢化物气相外延系统及方法，其包括对氢化物气相外延系统进行三维建模得到三维腔体模型；对三维腔体模型进行网格划分；将网格划分文件导入计算流体力学仿真软件，设定三维腔体模型的边界条件和材料参数，并选定计算模型和求解器；设置求解器控制参数，利用求解器对仿真反应过程进行迭代求解，得到计算结果；根据计算结果对α‑Ga2O3生长情况进行分析，得到α‑Ga2O3生长情况的分析结果。本发明通过对氢化物气相外延系统进行三维网格建模，分析其流场和反应物分布，并深入研究壁面温度等生长参数对生成物质量及均匀性的影响，进而对实现大面积均匀外延提供优化参数。

主权项：1.一种分析α-Ga2O3生长情况的氢化物气相外延系统，其特征在于，所述氢化物气相外延系统为立式反应腔，其上端口设有进气口，所述进气口用于通入N2、O2和GaCl，其中，所述N2作为载气用于运送GaCl，下端口设有生成物出气口；所述氢化物气相外延系统内部设有衬底，且外部围设有加热器，所述加热器用于对立式反应腔的壁面进行加热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种分析α-Ga₂O₃生长情况的氢化物气相外延系统及方法

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