申请/专利权人：鸿扬半导体股份有限公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913177A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：一种形成红外线侦测器的方法包括以下操作。接收感测结构，感测结构包括由下往上堆叠的第一红外线吸收层、第一保护层、第二红外线吸收层及第二保护层。形成图案化光阻层于感测结构上，其中图案化光阻层具有第一开口暴露出第二保护层。通过第一开口蚀刻第二保护层，以在第二保护层中形成第二开口，其中第二开口暴露出第二红外线吸收层。移除图案化光阻层。通过第二开口蚀刻第二红外线吸收层及第一保护层，以形成第三开口，其中第三开口暴露出第一红外线吸收层。以及形成电极于第三开口中。本发明的方法使电极与感测材料之间接触电阻小。

主权项：1.一种形成红外线侦测器的方法，其特征在于，包括：接收感测结构，该感测结构包括由下往上堆叠的第一红外线吸收层、第一保护层、第二红外线吸收层及第二保护层；形成图案化光阻层于该感测结构上，其中该图案化光阻层具有第一开口暴露出该第二保护层；通过该第一开口蚀刻该第二保护层，以在该第二保护层中形成第二开口，其中该第二开口暴露出该第二红外线吸收层；移除该图案化光阻层；通过该第二开口蚀刻该第二红外线吸收层及该第一保护层，以形成第三开口贯穿该第二保护层、该第二红外线吸收层及该第一保护层，其中该第三开口暴露出该第一红外线吸收层；以及形成电极于该第三开口中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 鸿扬半导体股份有限公司 形成红外线侦测器的方法

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