买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种Cd(Ⅱ)和/或Pb(Ⅱ)重金属离子的电化学检测方法_云南大学;昆明理工大学_202311664420.5 

申请/专利权人:云南大学;昆明理工大学

申请日:2023-12-06

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN117907409A

主分类号:G01N27/48

分类号:G01N27/48;G01N27/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要:本发明涉及一种CdⅡ和或PbⅡ重金属离子的电化学检测方法,属于重金属离子检测技术领域。本发明以离子印迹聚合膜修饰的玻碳电极为工作电极,AgAgCl电极为参比电极,铂柱电极为对电极,利用示差脉冲伏安法分别对不同CdⅡ浓度的缓冲溶液B、不同PbⅡ浓度的缓冲溶液C以及不同CdⅡ和PbⅡ浓度的缓冲溶液D进行测定,绘制示差脉冲伏安曲线,以峰电流和离子浓度关系绘制得到标准曲线;将离子印迹聚合膜修饰的玻碳电极放入盛有待测CdⅡ和或PbⅡ重金属样品液的测量池中,采用示差脉冲伏安法以相同的条件测定待测重金属样品液,绘制示差脉冲伏安曲线,得到CdⅡ和或PbⅡ的峰电流,将CdⅡ和或PbⅡ的峰电流代入标准曲线得到待测CdⅡ和或PbⅡ重金属样品液中CdⅡ和或PbⅡ重金属浓度。

主权项:1.一种CdⅡ和或PbⅡ重金属离子的电化学检测方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)以离子印迹复合膜修饰的玻碳电极为工作电极,AgAgCl电极为参比电极,铂柱电极为对电极,利用示差脉冲伏安法对不同CdⅡ浓度的缓冲溶液B进行测定,绘制CdⅡ示差脉冲曲线,以峰电流和CdⅡ浓度关系绘制得到CdⅡ标准曲线;利用示差脉冲伏安法对不同PbⅡ浓度的缓冲溶液C进行测定,绘制PbⅡ示差脉冲曲线,以峰电流和PbⅡ浓度关系绘制得到PbⅡ标准曲线;利用示差脉冲伏安法对不同CdⅡ和PbⅡ浓度的缓冲溶液D进行测定,绘制CdⅡ@PbⅡ示差脉冲曲线,以峰电流和CdⅡ、PbⅡ浓度关系绘制得到CdⅡ@PbⅡ标准曲线;其中离子印迹复合膜修饰的玻碳电极为IIM-Zr-MOF@Ag@CHI修饰电极;(2)将离子印迹复合膜修饰的玻碳电极、参比电极和对电极放入盛有待测CdⅡ和或PbⅡ重金属样品液的测量池中,采用示差脉冲伏安法以步骤(1)相同的条件测定待测CdⅡ和或PbⅡ重金属样品液,绘制示差脉冲曲线,得到CdⅡ和或PbⅡ的峰电流,将CdⅡ和或PbⅡ的峰电流代入步骤(1)对应的标准曲线得到待测CdⅡ和或PbⅡ重金属样品液中CdⅡ和或PbⅡ重金属浓度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 云南大学;昆明理工大学 一种Cd(Ⅱ)和/或Pb(Ⅱ)重金属离子的电化学检测方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。