申请/专利权人：国立大学法人三重大学

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117916901A

主分类号：H01L33/16

分类号：H01L33/16;C30B29/38;H01L21/205;H01L33/32

优先权：["20210909 JP 2021-147191"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.19#公开

摘要：一种III族氮化物发光器件，具备：模板部件，包括模板层，所述模板层包含10‑12面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1000arcsec以下的AlXGa1‑XNX大于0且小于等于1且内含覆盖支撑体的主面的压缩应变；活性层，在285nm以下的深紫外波长区域上产生具有峰值波长的光，包含内含压缩应变的AlGaN；以及n型III族氮化物半导体区域，设置在模板部件上，该III族氮化物半导体区域包括设置在模板层上的第一n型III族氮化物半导体层及设置在第一n型III族氮化物半导体层上的第二n型III族氮化物半导体层，第一n型III族氮化物半导体层以模板层为基准具有2％以下的晶格弛豫率，第二n型III族氮化物半导体层具有0.4nm以下的表面粗糙度。

主权项：1.一种III族氮化物发光器件，具备：模板部件，包括：支撑体，具有由与III族氮化物不同的材料组成的主面；以及模板层，包含10-12面的X射线摇摆曲线的半值宽度为1000arcsec以下的AlXGa1-XN且内含覆盖所述支撑体的所述主面的压缩应变，X大于0且小于等于1；活性层，设置在所述模板部件上，以在285nm以下的深紫外波长区域上产生具有峰值波长的光，包含内含压缩应变的AlGaN；以及n型III族氮化物半导体区域，设置在所述模板部件与所述活性层之间，包含Al作为III族构成元素，所述n型III族氮化物半导体区域包括：第一n型III族氮化物半导体层，设置在所述模板层与所述活性层之间；以及第二n型III族氮化物半导体层，设置在所述第一n型III族氮化物半导体层与所述活性层之间，所述第一n型III族氮化物半导体层以所述模板层为基准具有2％以下的晶格弛豫率，所述第二n型III族氮化物半导体层具有0.4nm以下的表面粗糙度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国立大学法人三重大学 III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法

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