申请/专利权人：广东海信宽带科技有限公司

申请日：2020-09-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN112216632B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683;H01S5/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本申请提供的LD芯片共晶焊接台包括底板及固定于底板上的基板定位机构、XY补偿装置、共晶温度控制装置、吸真空装置及共晶上罩，共晶温度控制装置包括依次设置的芯片立柱、芯片隔热块、陶瓷加热片、共晶板与冷却吹气系统；吸真空装置用于将基板吸附于共晶板上；共晶上罩与芯片隔热块连接形成共晶腔体，共晶上罩上设置有与共晶腔体连通的通孔；基板定位机构设置于共晶温度控制装置的外围，用于对共晶板上的基板进行X、Y方向的定位；XY补偿装置用于对底板进行X、Y方向的位置补偿；冷却吹气系统与共晶腔体连通，用于对共晶板进行冷却降温。本申请通过共晶温度控制装置、基板定位机构、XY补偿装置提高了LD共晶的效率与质量。

主权项：1.一种LD芯片共晶焊接台，其特征在于，包括底板及固定于所述底板上的基板定位机构、XY补偿装置、共晶温度控制装置、吸真空装置及共晶上罩，其中，所述共晶温度控制装置包括芯片立柱、芯片隔热块、陶瓷加热片、共晶板与冷却吹气系统，所述芯片立柱设置于所述底板上，所述芯片隔热块设置于所述芯片立柱上，所述陶瓷加热片设置于所述芯片隔热块上，所述共晶板设置于所述陶瓷加热片上；所述吸真空装置依次与所述芯片立柱、所述芯片隔热块、所述陶瓷加热片与所述共晶板相连通，用于通过真空将LD的基板吸附于所述共晶板上；所述共晶上罩与所述芯片隔热块连接形成共晶腔体，所述共晶上罩上设置有通孔，所述通孔与所述共晶腔体相连通，所述基板通过所述通孔被吸附于所述共晶腔体内的所述共晶板上；LD芯片通过所述通孔贴装于所述基板上，所述LD芯片与所述基板在所述共晶腔体内进行共晶反应；所述基板定位机构包括单凸轮机构与双凸轮机构，所述单凸轮机构与所述双凸轮机构设置于所述共晶温度控制装置的外围，用于对所述共晶板上的所述基板进行X、Y方向的定位；其中，所述双凸轮机构包括第一驱动装置、第一支撑架及设置于所述第一支撑架上的第一凸轮、第二凸轮、第一定位组件与第二定位组件，所述第一驱动装置的第一电机的输出轴穿过所述第一支撑架，所述第一凸轮与所述第二凸轮上下设置、且分别连接于所述第一电机的输出轴上；所述第一定位组件包括与所述第一凸轮接触的第一连接件、与所述第一连接件连接的第一定位夹爪及第一导轨，所述第一连接件在所述第一导轨上往复移动，以带动所述第一定位夹爪在所述共晶板上对所述基板进行X方向定位；所述第二定位组件与所述第一定位组件分别位于所述第一凸轮的不同侧，所述第二定位组件包括与所述第二凸轮接触的第二连接件、与所述第二连接件连接的第二定位夹爪及第二导轨，所述第二连接件在所述第二导轨上往复移动，以带动所述第二定位夹爪在所述共晶板上对所述基板进行X方向定位；所述单凸轮机构包括第二驱动装置、第二支撑架及设置于第二支撑架上的第三凸轮与第三定位组件，所述第二驱动装置的第二电机的输出轴穿过所述第二支撑架，所述第三凸轮连接于所述第二电机的输出轴上；所述第三定位组件包括与所述第三凸轮接触的第三连接件、与所述第三连接件连接的第三定位夹爪及第三导轨，所述第三连接件在所述第三导轨上往复移动，以带动所述第三定位夹爪在所述共晶板上对所述基板进行Y方向定位；所述XY补偿装置与所述共晶温度控制装置分别位于所述底板的不同侧，用于对所述底板进行X、Y方向的位置补偿；所述冷却吹气系统与所述共晶腔体连通，用于对所述共晶板进行冷却降温。

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权利要求：

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