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【发明授权】闪存存储器的数据重写方法、系统、终端设备及存储介质_深圳市硅格半导体有限公司_202011471063.7 

申请/专利权人:深圳市硅格半导体有限公司

申请日:2020-12-14

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN112527203B

主分类号:G06F3/06

分类号:G06F3/06

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.19#授权;2021.04.06#实质审查的生效;2021.03.19#公开

摘要:本发明公开了一种闪存存储器的数据重写方法、系统、终端设备及计算机存储介质,通过监测针对闪存存储器的物理块进行数据读取的数据读取次数;若检测到所述数据读取次数大于或者等于预设的次数阈值,则确定所述物理块的数据出错状态;根据所述数据出错状态控制所述闪存存储器的读干扰触发数据重写。本发明能够有效的避免Flash存储器即使在物理块中各物理页上存储的数据未被干扰的情况下,因为物理块的数据读取次数达到了阈值而频繁的触发数据重写,造成Flash存储器的不必要磨损,从而,既保证了物理块中各物理页上存储的数据的稳定性,还在极大程度上延长了Flash存储器的使用寿命。

主权项:1.一种闪存存储器的数据重写方法,其特征在于,所述闪存存储器的数据重写方法包括:将携带有待读取或者使用的数据标识的数据读取指令传递至闪存存储器的主控,以供所述闪存存储器根据所述数据读取指令确定当前需要读取或者使用的物理块,其中,所述闪存存储器内置于使用eMMC的移动设备当中,并通过所述主控与所述移动设备进行通信连接;监测针对所述物理块进行数据读取的数据读取次数;若检测到所述数据读取次数大于或者等于预设的次数阈值,则确定所述物理块的数据出错状态,其中,所述数据出错状态包括稳定和已受干扰;根据所述数据出错状态控制所述闪存存储器的读干扰触发数据重写;若所述物理块的所述数据出错状态为稳定,则将所述数据读取次数清零以重新监测得到针对所述物理块进行数据读取的新的数据读取次数;检测所述新的数据读取次数是否大于或者等于预设的新的次数阈值;若检测到所述新的数据读取次数小于所述新的次数阈值,则不控制所述读干扰触发数据重写;若检测到所述新的数据读取次数大于或者等于所述新的次数阈值,则控制所述读干扰触发数据重写;或者,若检测到所述新的数据读取次数大于或者等于所述新的次数阈值,则再次确定所述物理块的数据出错状态,并根据所述数据出错状态控制所述读干扰触发数据重写;所述根据所述数据出错状态控制所述闪存存储器的读干扰触发数据重写的步骤,包括:若所述物理块的所述数据出错状态为已受干扰,则控制所述闪存存储器的读干扰触发数据重写,以供所述闪存存储器将所述物理块中存写的数据搬移至其它物理块进行存写。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市硅格半导体有限公司 闪存存储器的数据重写方法、系统、终端设备及存储介质

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