申请/专利权人：湖南大学

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117691887B

主分类号：H02M7/5387

分类号：H02M7/5387;H02M5/12;H02M5/293;H02M3/158;H02M1/00;H02J7/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种超级电容储能型高过载单相逆变器电路及其控制方法，包括供电电源，供电电源电连接第一级DCDC变换器，第一级DCDC变换器电连接超级电容器，超级电容器电连接第二级隔离型可升降压单级单相逆变器的直流侧；所述第二级隔离型可升降压单级单相逆变器包括直流侧六开关支路，直流侧六开关支路电连接隔离变压器，隔离变压器电连接交流侧两开关支路，交流侧两开关支路电连接交流侧滤波电路。本发明使得输入供电电源功率波动得到抑制，单相逆变器具有可升降压调节能力，在超级电容电压大范围波动时，可实现稳定的交流电压输出。

主权项：1.一种超级电容储能型高过载单相逆变器电路，其特征在于，包括供电电源，供电电源电连接第一级DCDC变换器，第一级DCDC变换器电连接超级电容器，超级电容器电连接第二级隔离型可升降压单级单相逆变器的直流侧；所述第二级隔离型可升降压单级单相逆变器包括直流侧六开关支路，直流侧六开关支路电连接隔离变压器，隔离变压器电连接交流侧两开关支路，交流侧两开关支路电连接交流侧滤波电路；所述直流侧六开关支路包括第三半导体开关器件（S3）、第四半导体开关器件（S4）、第五半导体开关器件（S5）、第六半导体开关器件（S6）、第七半导体开关器件（S7）和第八半导体开关器件（S8）；其中超级电容器的一端电连接第三半导体开关器件（S3）的漏极和第七半导体开关器件（S7）的源极，另一端电连接第四半导体开关器件（S4）的源极和第八半导体开关器件（S8）的漏极；第四半导体开关器件（S4）的漏极电连接第三半导体开关器件（S3）的源极和隔离变压器直流侧的储能电感（Lm）的一端；第七半导体开关器件（S7）的漏极电连接第五半导体开关器件（S5）的漏极，第五半导体开关器件（S5）的源极电连接第六半导体开关器件（S6）的漏极和隔离变压器直流侧的储能电感（Lm）的另一端；第六半导体开关器件（S6）的源极电连接第八半导体开关器件（S8）的漏极；所述交流侧两开关支路包括第九半导体开关器件（S9），第九半导体开关器件S9的漏极电连接隔离变压器交流侧线圈的一端，隔离变压器交流侧线圈的另一端电连接第十半导体开关器件（S10）的漏极；第十半导体开关器件（S10）的源极电连接滤波电路的一端，滤波电路的另一端电连接第九半导体开关器件（S9）的源极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南大学 一种超级电容储能型高过载单相逆变器电路及其控制方法

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