申请/专利权人：清华大学

申请日：2022-01-06

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN114353956B

主分类号：G01J5/20

分类号：G01J5/20;G01J5/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：本文公开一种谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置，谐振型红外传感器包括：谐振振子、红外线吸收膜和位于谐振振子下方的衬底；其中，谐振振子设置有一个以上第一通孔；红外线吸收膜设置有一个以上第二通孔；其中，第一通孔和第二通孔用于通过腐蚀性流体，以在衬底上刻蚀空腔。本发明实施例通过设计可刻蚀空腔的衬底，通过空腔调整实现了对谐振型红外传感器的支撑锚的热阻的调整，进而实现了对灵敏度和响应时间的调整；空腔调整无需重新设计版图，减小了谐振型红外传感器的设计周期和成本，使谐振型红外传感器可以适用于更多的灵敏度和响应时间不同的场景。

主权项：1.一种谐振型红外传感器，包括：谐振振子1、红外线吸收膜2、位于谐振振子1下方的衬底3；其中，所述谐振振子1设置有一个以上第一通孔1-1；所述红外线吸收膜2设置有一个以上第二通孔2-1；其中，所述第一通孔1-1和所述第二通孔2-1用于通过腐蚀性流体，以在衬底3上刻蚀空腔；所述第一通孔1-1的总面积与所述谐振振子1最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第一预设比值；所述第一预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述第二通孔2-1的总面积与所述谐振振子1最小外接矩形圈定区域的面积的比值为第二预设比值；所述第二预设比值的取值范围为0.0005～0.7；所述衬底3上刻蚀的所述空腔的上表面的面积与所述谐振振子1的最小外接矩形圈定的区域的面积的比值为第三预设比值；所述第三预设比值大于或等于0.3但小于或等于9。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 谐振型红外传感器、谐振型红外传感器的制备方法及装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD