申请/专利权人：中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN115386948B

主分类号：C30B15/14

分类号：C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.02.13#著录事项变更;2023.05.30#专利申请权的转移;2023.05.30#著录事项变更;2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明公开了一种单晶生长炉和晶体生长方法，所述单晶生长炉包括：炉体；坩埚；加热器，所述加热器设于所述炉室内且环绕所述坩埚的径向外侧；保温结构包括：保温件和调节件，所述调节件的热反射系数或者热吸收系数与所述保温件不同，所述调节件设置于所述保温件和所述加热器之间，可相对所述保温件转动，用于调节所述保温件与所述加热器相对面的面积。根据本发明的单晶生长炉，有利于在坩埚的周向控制加热器传递到坩埚的热量，实现坩埚内熔汤热量的微调，改善熔汤周向方向上温度分布不均，解决了晶体生长不均匀、晶棒中氧含量不均匀的问题。

主权项：1.一种单晶生长炉，其特征在于，包括：炉体，所述炉体内形成有炉室；坩埚，所述坩埚设于所述炉室内用于容纳熔汤；加热器，所述加热器设于所述炉室内且环绕所述坩埚的径向外侧；保温结构，包括：保温件和调节件，所述调节件的热反射系数或者热吸收系数与所述保温件不同，所述调节件设置于所述保温件和所述加热器之间，可相对所述保温件转动，用于调节所述保温件与所述加热器相对面的面积；所述保温件，包括：交替连接的所述反射部和所述吸收部，所述反射部的热反射率高于所述吸收部的热反射率，所述吸收部的热吸收率高于所述反射部的热吸收率，所述反射部和所述吸收部与所述坩埚的相对面积不同，每个所述反射部的面积不同；所述调节件，包括：所述反射部或所述吸收部。

全文数据：

权利要求：

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