申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2020-02-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN112466367B

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C5/02;G11C5/06;G06F11/10;H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27

优先权：["20190909 JP 2019-163798"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：非易失性半导体存储装置20具备：半导体衬底30，具有第1导电型，且在背面具备破碎层30R；存储单元阵列21，配置在半导体衬底的与破碎层相反侧的正面上；及第1导电型高电压晶体管HVP，配置在半导体衬底上，具备第1导电型通道，对存储单元阵列供给高电压。第1导电型高电压晶体管具备：阱区域NW，配置在半导体衬底的正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；p+源极区域及p+漏极区域，配置在阱区域；及第1高浓度层WT2，配置在半导体衬底的破碎层与阱区域之间，浓度比半导体衬底的杂质浓度高，且为第1导电型。

主权项：1.一种非易失性半导体存储装置，具备：半导体衬底，具有第1导电型，且在背面具备粗糙层；存储单元阵列，配置在所述半导体衬底的与所述粗糙层相反侧的正面上；及第1导电型高电压晶体管，配置在所述半导体衬底上，具备第1导电型通道，对所述存储单元阵列供给高电压；且所述第1导电型高电压晶体管具备：阱区域，配置在所述正面，具有与第1导电型为相反导电型的第2导电型；源极区域及漏极区域，配置在所述阱区域，且为第1导电型；及第1高浓度层，配置在所述粗糙层与所述阱区域之间，浓度比所述半导体衬底的杂质浓度高，且为第1导电型，所述非易失性半导体存储装置还具备：第2高浓度层，所述第2高浓度层配置在所述粗糙层与所述第1高浓度层之间，且为第2导电型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 非易失性半导体存储装置

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