申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-02-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113013170B

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B41/47;H01L21/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本发明提供了一种或非型闪存器件及其制造方法，所述或非型闪存器件的制造方法包括：提供一具有外围器件区和存储单元区的晶圆片，在存储单元区沉积一介电层；在所述外围器件区通过外延生长形成一硅外延层；在所述外围器件区和所述存储单元区形成栅极；形成第一侧墙于所述栅极的侧壁上；进行轻浅掺杂离子注入；形成第二侧墙于所述第一侧墙的外围；蚀刻去除所述存储单元区的栅极顶部的介电层。本发明的技术方案能有效减薄存储单元区的栅极的高度，不会发生离子注入的击穿；所述存储单元区的栅极的高度不通过蚀刻来决定，厚度和均匀性能得到更好的控制，有利于工艺窗口和器件均匀性的控制。

主权项：1.一种或非型闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一包括存储单元区和外围器件区的晶圆片，去除所述外围器件区上的栅间介质层和浮栅层，在所述晶圆片上沉积一多晶硅层，然后再在多晶硅层上沉积一介电层；S2：蚀刻去除所述外围器件区的介电层；S3：在所述外围器件区的表面进行硅沉积；S4：在所述晶圆片上形成所述存储单元区的栅极和所述外围器件区的栅极；S5：对所述晶圆片进行第一次侧墙沉积与第一次侧墙蚀刻，以使所述存储单元区的栅极和所述外围器件区的栅极的侧壁上形成氧化物-氮化物-氧化物结构的第一侧墙；S6：分别对所述存储单元区和所述外围器件区进行轻浅掺杂离子注入，以使所述存储单元区的栅极之间的硅衬底中以及所述外围器件区的栅极两边的硅衬底中形成有源区;S7：对所述晶圆片进行第二次侧墙沉积与第二次侧墙蚀刻，以使所述存储单元区的栅极和所述外围器件区的栅极的所述第一侧墙外围形成由氮化物层组成的第二侧墙；S8：蚀刻去除所述存储单元区的栅极顶部以及所述外围器件区的栅极顶部的氮化物；S9：蚀刻去除所述存储单元区的栅极顶部的介电层。

全文数据：

权利要求：

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