申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日:2022-03-02
公开(公告)日:2024-04-19
公开(公告)号:CN114566792B
主分类号:H01Q1/38
分类号:H01Q1/38;H01Q19/10
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.19#授权;2022.06.17#实质审查的生效;2022.05.31#公开
摘要:本发明揭示了一种声驱动磁电天线及其制备方法,所述磁电天线从下向上依次包括衬底、第一电极层及磁电异质结构,所述磁电异质结构从下向上依次包括压电层、磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层,所述磁致伸缩复合层至少包括位于压电层上且作为第二电极层的磁致伸缩薄膜层,所述磁电天线形成有至少两个复合体声波谐振器的级联结构,所述复合体声波谐振器为磁电效应谐振器,包括薄膜体声波谐振器和或高次谐波体声波谐振器。本发明的声驱动磁电天线利用了谐振器的薄膜厚度差异和衬底位置分布差异实现多个复合体声波谐振器级联,多个谐振器的谐振模态以微小频移形成磁电天线S21传输系数带宽增强,具有小尺寸、宽带和阻抗匹配可调节等优点。
主权项:1.一种声驱动磁电天线,其特征在于,所述磁电天线从下向上依次包括衬底、第一电极层及磁电异质结构,所述磁电异质结构从下向上依次包括压电层、磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层,所述磁致伸缩复合层至少包括位于压电层上且作为电极层的磁致伸缩薄膜层,所述磁电天线形成有至少两个复合体声波谐振器的级联结构,所述复合体声波谐振器为磁电效应谐振器;所述磁电天线包括薄膜体声波谐振区域及高次谐波体声波谐振区域,所述薄膜体声波谐振区域形成有若干薄膜体声波谐振器,所述高次谐波体声波谐振区域形成有若干高次谐波体声波谐振器,所述磁电天线形成有至少两个高次谐波体声波谐振器的级联结构、或至少一个薄膜体声波谐振器与至少一个高次谐波体声波谐振器的级联结构;所述高次谐波体声波谐振区域从下向上依次包括衬底、第一电极层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层及导电层;或,所述高次谐波体声波谐振区域从下向上依次包括衬底、第一电极层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层;或,所述高次谐波体声波谐振区域从下向上依次包括衬底、第一电极层、第二压电层、第二磁致伸缩复合层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层及导电层;或,所述高次谐波体声波谐振区域从下向上依次包括衬底、第一电极层、第二压电层、第二磁致伸缩复合层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层;所述薄膜体声波谐振区域从下向上依次包括声波反射结构、第一电极层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层,或,所述薄膜体声波谐振器从下向上依次包括声波反射结构、第一电极层、第二压电层、第二磁致伸缩复合层、第一压电层、第一磁致伸缩复合层、导电层及第一高k值薄膜层。
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