申请/专利权人：东莞市长工微电子有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117410939B

主分类号：H02H7/12

分类号：H02H7/12;H02M3/07;H02M1/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本申请提供了一种自举电容的欠压处理方法及相关装置，应用于集成电路控制领域，应用于电压转换电路，包括：获取输出装置的输出电压值；响应于输出电压值小于开启设定阈值，控制驱动装置位于第一工作状态；当驱动装置位于第一工作状态的时长为第一时间阈值且上桥晶体管未导通时，控制驱动装置位于第二工作状态，第一时间阈值根据电压转换电路的开关频率和最小占空比确定；基于第二工作状态，控制驱动装置位于第三工作状态；响应于自举电容充电完成，控制驱动装置位于第二工作状态。本申请能够在自举电容发生欠压时及时关闭上桥晶体管，从而减少芯片损坏的问题，且无需检测自举电容的电压值，并保证电压转换器在COT逻辑下能够正常工作。

主权项：1.一种自举电容的欠压处理方法，其特征在于，应用于电压转换电路，所述电压转换电路包括上桥晶体管、下桥晶体管、自举电容、输出装置和驱动装置，所述上桥晶体管的漏极与外接输入电源连接，所述输出装置与外接负载连接，所述驱动装置用于生成上管驱动信号和下管驱动信号，所述上桥晶体管的源极和所述下桥晶体管的漏极连接，所述下桥晶体管的源极接地，所述自举电容的一端与供电电源连接，所述自举电容的另一端与所述上桥晶体管的源极连接，所述上桥晶体管的栅极为所述上管驱动信号的输入接口，所述下桥晶体管的栅极为所述下管驱动信号的输入接口，所述欠压处理方法包括：获取所述输出装置的输出电压值；响应于所述输出电压值小于开启设定阈值，控制驱动装置位于第一工作状态，所述第一工作状态为所述上管驱动信号设置为高电平、所述下管驱动信号设置为低电平；当所述驱动装置位于第一工作状态的时长为第一时间阈值且所述上桥晶体管未导通时，控制所述驱动装置位于第二工作状态，所述第一时间阈值根据所述电压转换电路的开关频率和最小占空比确定，所述第二工作状态为所述上管驱动信号设置为低电平、所述下管驱动信号设置为低电平；基于所述第二工作状态，控制所述驱动装置位于第三工作状态，以对所述自举电容充电，所述第三工作状态为所述上管驱动信号设置为低电平、所述下管驱动信号设置为高电平；响应于所述自举电容充电完成，控制所述驱动装置位于所述第二工作状态；其中，所述基于所述第二工作状态，控制所述驱动装置位于第三工作状态，包括：获取所述驱动装置位于第二工作状态的时长；当所述驱动装置位于第二工作状态的时长为第二时间阈值时，控制所述驱动装置位于第三工作状态，其中，所述第二时间阈值大于或等于所述上桥晶体管的关闭时间。

全文数据：

权利要求：

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