申请/专利权人：闪迪技术有限公司

申请日：2018-11-20

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN111247636B

主分类号：H10B41/20

分类号：H10B41/20;H10B41/35;H10B43/20;H10B43/35;H01L23/00;H01L23/522

优先权：["20180322 US 15/928,340","20180322 US 15/928,407"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2020.06.30#实质审查的生效;2020.06.05#公开

摘要：多个半导体芯片可以通过铜‑铜键合来键合。多个半导体芯片包括逻辑芯片和多个存储器芯片。逻辑芯片包括外围电路以用于多个存储器芯片内的存储器件的操作。存储器芯片可以包括前侧键合焊盘结构、后侧键合焊盘结构以及在成对的第一侧键合焊盘结构和后侧键合焊盘结构之间提供导电路径的多组金属互连结构。因此，电控制信号可以通过位于逻辑芯片和上覆的存储器芯片之间的至少一个中间存储器芯片在逻辑芯片和存储器芯片之间竖直传播。可以将后侧键合焊盘结构形成为延伸穿过相应的半导体衬底的集成贯穿衬底通孔与焊盘结构的部分。

主权项：1.一种芯片组件结构，包括：第一半导体芯片，其包括第一半导体衬底、位于所述第一半导体衬底的前侧表面上方的第一半导体器件，以及包括相应的第一贯穿衬底通孔结构和相应的第一键合焊盘结构并包括第一金属材料的第一集成贯穿衬底通孔与焊盘结构，其中所述第一集成贯穿衬底通孔与焊盘结构从所述第一半导体衬底的所述前侧表面竖直延伸到所述第一半导体衬底的后侧表面，并且通过相应的管状绝缘间隔物并通过与所述第一半导体衬底的所述后侧表面接触的后侧绝缘层与所述第一半导体衬底电隔离，其中每个所述第一集成贯穿衬底通孔与焊盘结构在位于所述第一半导体衬底的所述前侧表面的水平平面内的横向尺寸大于在包括所述第一半导体衬底的所述后侧表面的水平平面内的横向尺寸，其中每个所述第一集成贯穿衬底通孔与焊盘结构包括相应的金属衬垫和相应的金属填充材料部分，所述相应的金属衬垫包括平面部分和管状部分，所述平面部分具有位于所述第一半导体衬底的所述前侧表面的所述水平平面内的平面表面，所述管状部分接触所述管状绝缘间隔物中的相应一个的内侧壁，其中所述平面表面没有穿过其中的任何开口，并且由相应的第一集成贯穿衬底通孔与焊盘结构的上周边横向界定，并且其中所述相应的金属衬垫将所述相应的金属填充材料部分的通孔部分与所述管状绝缘间隔物中的所述相应一个横向分离，并且与位于所述第一半导体衬底的所述前侧表面的所述水平平面竖直分离；以及第二半导体芯片，其包括第二半导体衬底、位于所述第二半导体衬底的前侧表面上方的第二半导体器件，以及电连接到所述第二半导体器件中的相应一个的第二键合焊盘结构，其中所述第一键合焊盘结构直接键合到所述第二键合焊盘结构中的相应一个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 闪迪技术有限公司 包含具有贯穿衬底通孔结构的键合芯片组件的三维存储器件及其制造方法

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