申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2018-07-11

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN110782928B

主分类号：G11C7/12

分类号：G11C7/12;G11C7/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2020.03.06#实质审查的生效;2020.02.11#公开

摘要：本发明提供一种半导体存储器的存取装置和存取方法，存取装置包括连接于位线的存储单元、N型传输闸和P型传输闸，N型传输闸通过位线连接于存储单元，并连接于第一数据线，P型传输闸通过位线连接于存储单元，并连接于第二数据线；其中，在电荷分享阶段，当存储单元存储高电平资料时，与位线上的寄生电容进行电荷分享，使第二数据线上的电压升高和第一数据线上的电压保持；以及当存储单元存储低电平资料时，与位线上的寄生电容进行电荷分享，使第一数据线上的电压降低和第二数据线上的电压保持。本发明可以仅用位线就能实现正确存取存储资料，避免反位线所造成的版图面积增加。

主权项：1.一种半导体存储器的存取装置，其特征在于，包括：存储单元，连接于位线，所述存储单元包括控制晶体管和存储电容；N型传输闸，具有第一N型传输端和第二N型传输端，所述第一N型传输端通过所述位线连接于所述存储单元，所述第二N型传输端连接于第一数据线；以及P型传输闸，具有第一P型传输端和第二P型传输端，所述第一P型传输端通过所述位线连接于所述存储单元，所述第二P型传输端连接于第二数据线；其中，所述存储单元用于存储高电平资料，以在电荷分享阶段所述存储电容与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，使所述P型传输闸开启和所述第二数据线上的电压升高，以及使所述N型传输闸关闭和所述第一数据线上的电压保持；以及所述存储单元还用于存储低电平资料，以在所述电荷分享阶段所述存储电容与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，使所述N型传输闸开启和所述第一数据线上的电压降低，以及使所述P型传输闸关闭和所述第二数据线上的电压保持。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体存储器的存取装置和存取方法

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