申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN114910841B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件时磁场强度相同。此时受测区域保持原来的磁场强度，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101）；第二电极层（120）和第四电极层（140），间隔设置于所述第二表面（102），所述第一电极层（110）在所述第一电介质层（100）的正投影分别与所述第二电极层（120）和所述第四电极层（140）在所述第一电介质层（100）的正投影具有重叠部分；第四外接电容（444），所述第四外接电容（444）的两端分别与所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）连接；第五外接电容（445）和第三开关控制电路（460），所述第五外接电容（445）的一端与所述第二电极层（120）连接，所述第五外接电容（445）的另一端与所述第三开关控制电路（460）的一端连接，所述第三开关控制电路（460）的另一端与所述第一电极层（110）连接；其中，在射频发射阶段，所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间的电压差较大，所述第三开关控制电路（460）导通，所述第四外接电容（444）和所述第五外接电容（445）串联于所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间，以减小磁场增强器件的失谐程度；在射频接收阶段，所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间的电压差较小，所述第三开关控制电路（460）关断，所述第四外接电容（444）串联于所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 磁场增强组件和磁场增强器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD