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【发明授权】磁场增强组件及磁场增强器件_清华大学;北京清华长庚医院_202110183924.X 

申请/专利权人:清华大学;北京清华长庚医院

申请日:2021-02-10

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN114910844B

主分类号:G01R33/34

分类号:G01R33/34;G01R33/38

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.19#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要:本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小,第一电极层的屏蔽效果减弱,反馈信号的传输能力增强,信号质量提高。

主权项:1.一种磁场增强组件,其特征在于,包括:第一电介质层(100),具有相对的第一端(103)和第二端(104),并包括相对的第一表面(101)和第二表面(102);第一电极层(110),设置于所述第一表面(101),并沿所述第一端(103)向所述第二端(104)延伸,所述第一电极层(110)包括第一子电极层(111)、第二子电极层(112)和一个第一连接层(190),所述第一子电极层(111)和所述第二子电极层(112)宽度相同并相对间隔设置,所述第一连接层(190)的一端与所述第一子电极层(111)连接,所述第一连接层(190)的另一端与所述第二子电极层(112)连接,所述第一连接层(190)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度;所述第一电极层(110)还包括第二连接层(191),所述第二连接层(191)设置于所述第一表面(101),所述第二连接层(191)的宽度小于所述第一子电极层(111)的宽度,所述第二连接层(191)与所述第一连接层(190)平行间隔设置,且所述第一连接层(190)与所述第二连接层(191)并联连接于所述第一子电极层(111)和所述第二子电极层(112)之间;所述第一连接层(190)的延伸方向与所述第二连接层(191)的延伸方向的夹角为锐角或钝角;第二电极层(120)和第三电极层(130),相对间隔设置于所述第二表面(102),所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠,所述第二电极层(120)、所述第一电介质层(100)和所述第一子电极层(111)构成第二结构电容(302),所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二子电极层(112)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠,所述第三电极层(130)、所述第一电介质层(100)和所述第二子电极层(112)构成第三结构电容(303)。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 清华大学;北京清华长庚医院 磁场增强组件及磁场增强器件

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