申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN220811875U

主分类号：C01B33/035

分类号：C01B33/035

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权

摘要：本实用新型提供了多晶硅还原炉喷嘴组件和多晶硅还原炉。该多晶硅还原炉喷嘴组件包括：阻隔环板，阻隔环板呈中空结构，阻隔环板具有相对的底面和顶面；输气环管，输气环管围绕设置在阻隔环板的外侧，输气环管具有多个间隔设置的喷气嘴，喷气嘴的喷气方向朝向阻隔环板的顶面，且喷气嘴的喷气方向与阻隔环板的高度方向呈一定角度，角度为锐角。由此，本实用新型的喷嘴组件通过设置阻隔环板，使气体从喷气嘴喷出后打在阻隔环板上，避免了气体直接喷向硅芯，同时使得气体环绕硅芯上升，如此，该喷嘴组件既能满足硅芯下端的进气需求，又能防止进气引起硅芯振动导致倒棒，同时还能使一部分高速气体直达炉顶，可以大大的稳定炉内气场保证产品质量。

主权项：1.一种多晶硅还原炉喷嘴组件，其特征在于，包括：阻隔环板，所述阻隔环板呈中空结构，所述阻隔环板具有相对的底面和顶面；输气环管，所述输气环管围绕设置在所述阻隔环板的外侧，所述输气环管具有多个间隔设置的喷气嘴，所述喷气嘴的喷气方向朝向所述阻隔环板的所述顶面，且所述喷气嘴的喷气方向与所述阻隔环板的高度方向呈一定角度，所述角度为锐角。

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