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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2023-10-12
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936371A
主分类号：H01L21/18
分类号：H01L21/18;H01L21/304;H01L21/324
优先权：["20221025 JP 2022-170539"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.26#公开
摘要：本发明提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够抑制器件的破损并且将外周剩余区域去除。晶片的加工方法包含如下的步骤：等离子体活化处理步骤，对第一晶片和第二晶片中的至少任意一个面实施等离子体处理而使该面活化；贴合晶片形成步骤，将第一晶片与第二晶片临时接合而形成贴合晶片；改质层形成步骤，利用透过第一晶片的波长的激光束在第一晶片的内部形成环状的改质层；外周区域去除步骤，赋予外力而将外周区域去除；退火处理步骤，通过退火处理提高贴合晶片的接合强度；以及磨削步骤，将第一晶片磨削而薄化至完工厚度。
主权项：1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：等离子体活化处理步骤，为了将第一晶片与第二晶片接合，通过对该第一晶片的一个面和该第二晶片的一个面中的至少任意一个面实施等离子体处理而使实施了该等离子体处理的该面活化；贴合晶片形成步骤，在实施了该等离子体活化处理步骤之后，将该第一晶片的该一个面与该第二晶片的该一个面临时接合而形成贴合晶片；改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，沿着该第一晶片的比外周缘靠内侧规定的距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的改质层；外周区域去除步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对第一晶片的比形成有该环状的改质层的位置靠外周缘侧的外周区域赋予外力而将该外周区域去除；退火处理步骤，在实施了该外周区域去除步骤之后，通过对该贴合晶片实施退火处理而提高该第一晶片与该第二晶片的接合强度；以及磨削步骤，在实施了该退火处理步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从另一个面侧进行磨削而薄化至完工厚度。
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