申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926370A

主分类号：C25D17/00

分类号：C25D17/00;C25D21/12;C25D7/12;H01L21/66

优先权：["20221026 US 17/974,426"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：晶片周边处的状态可被表征并可用于调节在镀覆处理期间由堰窃流电极汲取的电流，以产生更均匀的膜厚度。当晶片旋转时，电极可位于镀覆室中且在晶片周缘附近。为了表征密封件上的电触点，可以将具有种晶层的晶片装载到镀覆室中，并且可驱动恒定电流通过电极到晶片上的导电层。随着该电流的电特性，例如驱动恒定电流所需的电压，变化，可生成表征密封件质量或掩模层中的开口的制图。

主权项：1.一种半导体镀覆系统，包括：容器组件，用于保持电解质和所述电解质中的晶片；位于所述容器组件中的堰窃流电极组件，所述堰窃流电极组件包括被配置为在镀覆处理期间汲取电流的多个窃流电极；电极，所述电极位于所述容器组件中以在所述镀覆处理期间浸没在所述电解质中；以及控制器，所述控制器被编程为使电流从所述电极流到所述晶片，并且记录当所述电流从所述电极流到所述晶片上的导电层时测量的与所述电流相关联的电特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 半导体膜镀覆周边制图与补偿

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD