申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926226A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/40;C23C16/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积生长氧化物薄膜的预处理工艺，包括采用氧等离子体脉冲式清洗衬底表面，并采用载气对衬底表面进行吹扫；采用臭氧脉冲式处理所述衬底表面以修复表面缺陷；采用含有羟基的化合物对所述衬底表面进行脉冲式清洗，并采用载气对衬底表面进行吹扫。本发明的基于原子层沉积生长氧化物薄膜的预处理工艺，其能够解决原子层沉积ALD生长氧化物薄膜的衬底界面污染问题。

主权项：1.一种基于原子层沉积生长氧化物薄膜的预处理工艺，其特征在于，包括：采用氧等离子体脉冲式清洗衬底表面，并采用载气对衬底表面进行吹扫；采用臭氧脉冲式处理所述衬底表面以修复表面缺陷；采用含有羟基的化合物对所述衬底表面进行脉冲式清洗，并采用载气对衬底表面进行吹扫。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于原子层沉积生长氧化物薄膜的预处理工艺

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