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【发明公布】集成CMOS管的温度传感器电路、温度计及芯片_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202410033131.3 

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日:2024-01-08

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117928758A

主分类号:G01K7/01

分类号:G01K7/01

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明提供一种集成CMOS管的温度传感器电路、温度计及芯片,该电路包括:分别连接电源电压的第一负载管、第二负载管;运算放大器,分别与第一负载管、第二负载管相连构成反馈环路,用于对运算放大器的两个输入端所对应的电压钳位,以使两个输入端的电压相同;第一感温管与第二感温管,分别连接运算放大器的两个输入端,以使第一感温管与第二感温管工作在亚阈区,根据第一感温管与第二感温管之间的电流比感测温度。通过一种新型的低功耗温度传感器电路感应温度,同时,电路本身全由MOS管集成,有效地减小温度传感器电路的面积,极大提高了芯片集成度,相比Bipolar三极管采集温度,通过控制感温管工作在亚阈区,即使处于低电压系统也能够感测温度。

主权项:1.一种集成CMOS管的温度传感器电路,其特征在于,包括:分别连接电源电压的第一负载管、第二负载管;运算放大器,分别与所述第一负载管、所述第二负载管相连构成反馈环路,用于对所述运算放大器的两个输入端所对应的电压钳位,以使两个输入端的电压相同;第一感温管与第二感温管,分别连接所述运算放大器的两个输入端,以使所述第一感温管与所述第二感温管工作在亚阈区,根据所述第一感温管与所述第二感温管之间的电流比感测温度;其中,所述第一负载管、所述第二负载管、所述第一感温管与所述第二感温管均为场效应管。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 集成CMOS管的温度传感器电路、温度计及芯片

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