龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936537A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L27/07;H01L21/8249
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本申请提供一种带静电保护结构的MOSFET器件及其制备方法，带静电保护结构的MOSFET器件包括：衬底具有栅极区域、源极区域以及设置于栅极区域以及源极区域之间的保护区域；静电保护结构包括至少一个第一保护部以及至少两个第二保护部，第一保护部与第二保护部交替设置位于保护区域上，第一保护部和第二保护部中的一者为P型多晶硅，第一保护部和第二保护部中的另一者为N型多晶硅；隔离介质层设置于静电保护结构上；栅极金属层和源极金属层间隔且同层设置于隔离介质层上，栅极金属层位于栅极区域并与静电保护结构的一端连接，源极金属层位于源极区域并与静电保护结构的另一端连接，以提高静电防护性能。
主权项：1.一种带静电保护结构的MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有栅极区域、源极区域以及设置于所述栅极区域以及所述源极区域之间的保护区域；静电保护结构，包括至少一个第一保护部以及至少两个第二保护部，所述第一保护部与所述第二保护部交替设置位于所述衬底的所述保护区域上，所述第一保护部和所述第二保护部中的一者为P型多晶硅，所述第一保护部和所述第二保护部中的另一者为N型多晶硅；隔离介质层，设置于所述静电保护结构上；栅极金属层和源极金属层，间隔且同层设置于所述隔离介质层上，所述栅极金属层位于所述栅极区域并与所述静电保护结构的一端连接，所述源极金属层位于所述源极区域并与所述静电保护结构的另一端连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市威兆半导体股份有限公司 一种带静电保护结构的MOSFET器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号