申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936511A

主分类号：H01L23/522

分类号：H01L23/522;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有第一介电层，基底包括电阻区；在电阻区的第一介电层顶部形成掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层，掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层具有导电性，用于作为电阻层；在第一介电层的顶部上方形成第二介电层，第二介电层覆盖第一刻蚀停止层，且第二介电层与第一刻蚀停止层之间具有刻蚀选择比；在第一刻蚀停止层的顶部形成贯穿第二介电层且露出第一刻蚀停止层顶面的通孔；在通孔中形成互连通孔结构，互连通孔结构电连接掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层。利用第二介电层与掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层之间的刻蚀选择比，降低被掺杂处理的第一刻蚀停止层受到损伤风险，提高半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括电阻区；第一介电层，位于所述基底的顶部；掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层，位于所述电阻区的所述第一介电层的顶部，所述掺杂有导电离子的第一刻蚀停止层具有导电性，用于作为电阻层；第二介电层，位于所述第一介电层的顶部上方，所述第二介电层覆盖所述第一刻蚀停止层，且所述第二介电层与所述第一刻蚀停止层之间具有刻蚀选择比；互连通孔结构，位于所述电阻区中，所述互连通孔结构贯穿所述第一刻蚀停止层顶部的第二介电层，且与所述第一刻蚀停止层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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