申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117931126A

主分类号：G06F7/58

分类号：G06F7/58;H10B12/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种基于DRAM的伊辛架构计算系统的随机电路，其包括控制晶体管R‑control、随机脉冲源、传输门及R_SEL信号单元；所述随机脉冲源包括行随机脉冲发生器RH和列随机脉冲发生器RC；在所述控制晶体管R‑control的控制下，所述R_SEL信号单元用来选择当前随机单元的值是由行随机数生成器产生的随机脉冲决定还是由列随机数生成器产生的随机脉冲决定；每个自旋节点在计算过程中分时由若干位列随机脉冲以及若干位行随机脉冲一起构成一个多位的随机数参与自旋的概率翻转计算。本发明具有结构简单、适用性强、能够很大程度节省电路面积等优点。

主权项：1.一种基于DRAM的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征在于，包括控制晶体管R-control、随机脉冲源、传输门及R_SEL信号单元；所述随机脉冲源包括行随机脉冲发生器RH和列随机脉冲发生器RC；在所述控制晶体管R-control的控制下，所述R_SEL信号单元用来选择当前随机单元的值是由行随机数生成器产生的随机脉冲决定还是由列随机数生成器产生的随机脉冲决定；每个自旋节点在计算过程中分时由若干位列随机脉冲以及若干位行随机脉冲一起构成一个多位的随机数参与自旋的概率翻转计算。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种基于DRAM的伊辛架构计算系统的随机电路

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