申请/专利权人：瓦里安半导体设备公司

申请日：2019-05-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936344A

主分类号：H01J37/317

分类号：H01J37/317;H05H9/04;H01J37/08

优先权：["20180601 US 15/995,913"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种用于生成高能离子射束的设备及方法。所述设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。

主权项：1.一种用于生成高能离子射束的设备，包括：离子源及抽取系统，被布置成产生处于第一离子能量的离子射束，所述离子射束包含离子物质；直流加速器柱，设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量；质量分析仪，设置在所述直流加速器柱下游且被布置成分析所述离子射束且产生具有所述第二离子能量的经质量分析离子射束；以及线性加速器，设置在所述质量分析仪下游，所述线性加速器被布置成将所述经质量分析离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量，其中所述线性加速器包括多个加速器级，分别由多个射频电压信号驱动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瓦里安半导体设备公司 用于生成高能离子射束的设备及方法

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