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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-01-30
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117930398A
主分类号：G02B1/00
分类号：G02B1/00;G02B3/00;G03F7/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本公开涉及一种高深宽比的纳米压印超透镜结构及其制备方法和应用。该高深宽比的纳米压印超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列；形成于该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列上的薄膜材料层；其中，该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列及其上的该薄膜材料层构成复合微纳结构阵列，该复合微纳结构阵列能够实现0‑2π相位覆盖，以完全调控波前，实现对紫外光、可见光和红外光波段进行聚焦成像的纳米压印超透镜结构。利用本发明，解决了现有短波长波段超透镜制作成本高、工艺复杂和难以实现大面积的问题。
主权项：1.一种高深宽比的纳米压印超透镜结构，其特征在于，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列；以及形成于该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列上的薄膜材料层；其中，该高深宽比纳米压印胶微纳结构阵列及其上的该薄膜材料层构成复合微纳结构阵列，该复合微纳结构阵列能够实现0-2π相位覆盖，以完全调控波前，实现对紫外光、可见光和红外光波段进行聚焦成像的纳米压印超透镜结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 高深宽比的纳米压印超透镜结构及其制备方法和应用
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