申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941055A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234;H01L21/18;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H01L29/423

优先权：["20210902 US 63/240,178","20210902 US 63/240,183","20210902 US 63/240,187","20220829 US 17/897,378"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄化基板，并形成电连接至金属的触点。

主权项：1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基板的顶表面上形成晶片装置；形成从所述基板的所述顶表面延伸至所述晶片装置的底表面的通孔开口；在所述通孔开口中沉积金属；将所述晶片装置的所述底表面接合至接合晶片；任选地，薄化所述基板；和形成电连接至所述金属的触点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 至深通孔的背侧电力轨

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