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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2022-09-08
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117941000A
主分类号：G11C11/418
分类号：G11C11/418;G11C11/419;G11C7/10;G11C7/22;G11C8/16
优先权：["20210924 US 17/448,846"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：提供了一种存储器，该存储器被配置为实践两种不同模式的读取操作，诸如正常读取操作和突发模式读取操作两者。在一个示例中，该存储器是伪双端口存储器。该存储器可包括地址比较器以执行时分多路复用，从而首先将读取地址与存储的地址进行比较，并且然后将写入地址与该存储的地址进行比较。
主权项：1.一种用于存储器的地址比较器，包括：多个单位比较器，所述多个单位比较器中的每个单位比较器包括多路复用器，所述多路复用器被配置为在存储器读取操作期间选择读取地址位以提供选定位并且在存储器写入操作期间选择写入地址位以提供所述选定位，并且包括第一逻辑门，所述第一逻辑门被配置为将所述选定位与存储的地址位进行比较以提供输出信号；和组合电路，所述组合电路被配置为组合来自所述多个单位比较器中的每个单位比较器的所述输出信号以形成组合输出信号来控制所述存储器读取操作。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 具有突发模式地址比较器的伪双端口SRAM
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