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【发明公布】基于自适应模型预测控制的BMS均衡联动制冷方法_合肥工业大学;安徽国麒科技有限公司_202410136899.3 

申请/专利权人:合肥工业大学;安徽国麒科技有限公司

申请日:2024-01-31

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117928127A

主分类号:F25B21/02

分类号:F25B21/02;F25B49/00;B60L58/26

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明公开了一种基于自适应模型预测控制的BMS均衡联动制冷方法,通过基于无迹卡尔曼滤波的在线自适应模型预测控制可以处理温度控制和MOS管产热的强非线性和时变特性,从而取得更好的控制效果,通过将综合能量损失、散热时常、实时温度、最大均衡电压纳入成本函数,通过被动均衡电路的耗电与半导体制冷芯片相结合,实现大功率MOS管的精准控温,温度强度显著减小,延长系统整体寿命、保障系统安全,减少热失控风险并提高系统效率,进而降低新能源车辆管理系统的成本并大幅度提高系统安全性能,通过将成本函数转化为凸优化问题,通过模型预测控制算法可以快速地求解得到最优控制量及最优参考均衡电流Icell和覆盖于MOS管上的第二半导体制冷芯片的参考输入电流Imos,进而可以通过PI控制应用于在线的实时控制。

主权项:1.基于自适应模型预测控制的BMS均衡联动制冷方法,其特征在于,包括:检测电池组中电池单体之间的电压差,计算被动均衡控制需要消耗的电量;使用若干第一半导体制冷芯片作为被动均衡电路的均衡电阻,与电池管理系统经PCB线路连接,在被动均衡释放最大电池单体电压的过程中对电池组及其附近的大功率MOS管进行联动制冷,以将被动均衡控制需要消耗的电量转换为第一半导体制冷芯片进行温度控制的输入电量;将若干第二半导体制冷芯片覆盖在大功率MOS管表面,用于在第一半导体制冷芯片的温度控制效果低于预期温度时,进一步降低MOS管表面的温度;使用MOS产热模型计算大电流充放电过程中MOS管急速温升趋势,使用自适应模型预测控制算法,不断优化被动均衡控制需要消耗的电量以及第二半导体制冷芯片进行温度控制的输入电量,给出最优的温度控制和均衡控制策略。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥工业大学;安徽国麒科技有限公司 基于自适应模型预测控制的BMS均衡联动制冷方法

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