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申请/专利权人：常州比太科技有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936650A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明提供了一种异质结电池硅片表面钝化处理方法及硅片，涉及太阳能电池制备技术领域，包括：控制镀膜腔参数，将硅片置于所述镀膜腔内；通入不同用量的硅烷和氢气，在硅片两侧分别依次通过离子沉积第一镀膜层、第二镀膜层和第三镀膜层；其中，所述第一镀膜层、第二镀膜层和第三镀膜层的硅氢比逐渐减小；在所述第三镀膜层表面进行氢氧化处理，以进行钝化，解决现有硅片表面钝化处理方法钝化效果较差的问题。
主权项：1.一种异质结电池硅片表面钝化处理方法，其特征在于，包括：控制镀膜腔参数，将硅片置于所述镀膜腔内；通入不同用量的硅烷和氢气，在硅片两侧分别依次通过离子沉积第一镀膜层、第二镀膜层和第三镀膜层；其中，所述第一镀膜层、第二镀膜层和第三镀膜层的硅氢比逐渐减小；在所述第三镀膜层表面进行氢氧化处理，以进行钝化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州比太科技有限公司 一种异质结电池硅片表面钝化处理方法及硅片
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