申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936542A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L23/528

优先权：["20221026 US 63/381,064","20230412 US 18/133,872"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案在与第一方向相交的第三方向上与第二有源图案至少部分重叠；多个栅极结构，其在第二方向上延伸跨过第一有源图案和第二有源图案，第二方向与第一方向和第三方向相交；单元的至少一个金属层中的多条金属线，金属线在第一方向上延伸，并且金属线中的至少一条连接到第一有源图案和第二有源图案中的至少一个以及栅极结构；以及至少一个电源轨，其将第一有源图案和第二有源图案中的至少一个连接到至少一个电压源。

主权项：1.一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构，所述半导体器件单元包括：在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案在与所述第一方向相交的第三方向上与所述第二有源图案至少部分重叠；多个栅极结构，其在第二方向上延伸跨过所述第一有源图案和所述第二有源图案，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向相交；所述单元的至少一个金属层中的多条金属线，所述金属线在所述第一方向上延伸，并且所述金属线中的至少一条连接到所述第一有源图案和所述第二有源图案中的至少一个以及所述栅极结构；以及至少一个电源轨，其将所述第一有源图案和所述第二有源图案中的所述至少一个连接到至少一个电压源，其中，所述至少一个电源轨被设置成比所述单元的上边界或下边界更靠近所述单元在所述第一方向上延伸的虚拟水平中心线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 用于堆叠式场效应晶体管的具有中心线电源轨的单元架构

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