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申请/专利权人：清华大学
申请日：2024-01-17
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117933171A
主分类号：G06F30/392
分类号：G06F30/392;G06F30/394;G06F30/398;G06F111/10
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明涉提出一种超密集收发芯片的集成多波束合成网络的设计方法及装置，属于太赫兹电路设计技术领域。其中，所述方法包括：对于包含a路且每一路为一个b合一网络的多波束合成网络，通过仿真得到在预设工艺下参考地平面之上每层金属层的插入损耗和附加相移随频率的变化关系；绘制单个b合1网络的模型，确定各层金属层的比例后，将b合1网络的模型复制a份，得到多波束合成网络的初始版图；通过对幅相一致性的判定，调整初始版图中偏差较大的路的走线长度，得到修订后的版图；通过DRC和LVS检查后，版图设计完成。本发明能够实现多波束合成网络设计中对插入损耗和隔离度之间进行更灵活的折中，缩短了版图的仿真时间，提高版图设计效率。
主权项：1.一种超密集收发芯片的集成多波束合成网络的设计方法，其特征在于，包括：确定由多层金属层组成的多波束合成网络所使用的工艺、各输入端口坐标和参考地平面，其中，所述多波束合成网络包含a路，每一路为一个b合一网络，在每一路b合一网络中距离较近的端口之间设置有串联电阻；通过仿真得到在所述工艺下所述参考地平面上每层金属层的插入损耗随频率的变化关系和附加相移随频率的变化关系；根据所述插入损耗随频率的变化关系，调整目标插入损耗；绘制单个b合1网络的模型，通过在设定的频率范围内进行扫描以确定在所述b合1网络中所述工艺下各层金属层的比例，使得所述b合1网络满足目标插入损耗和目标隔离度；将所述b合1网络的模型复制a份，然后将a个所述b合1网络放置在预设的版图位置上，得到所述多波束合成网络的初始版图；通过对幅相一致性的判定，基于所述每层金属层的插入损耗随频率的变化关系和附加相移随频率的变化关系，调整所述初始版图中偏差较大的路的走线长度，得到修订后的版图；对所述修订后的版图进行设计规则检查和版图电路一致性检查，以完成所述多波束网络的版图设计。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 超密集收发芯片的集成多波束合成网络的设计方法及装置
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