申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2024-01-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936373A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/51

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制反应腔中的沟槽型半导体衬底和等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，电场筛的电场为施加到反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对反应腔施加电场筛的电场和微波的输入功率，利用沟槽型半导体衬底加热的方式，对中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。

主权项：1.一种栅介质层的形成方法，包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使所述反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据所述微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制所述反应腔中的沟槽型半导体衬底和所述等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，所述电场筛的电场为施加到所述反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对所述反应腔施加所述电场筛的电场和所述微波的输入功率，利用所述沟槽型半导体衬底加热的方式，对所述中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 栅介质层的形成方法和半导体器件

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