申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117930934A

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种具有二阶补偿的双阈值PJFET基准电路；该电路包括：6个NPN三级管Q5～Q10、4个PNP三极管Q1～Q4、11个电阻R1～R11、2个PJFET管J1～J2以及一个运算放大器；通过Q6以及R1产生负温电流I1，通过Q2、Q3镜像得到电流iCTAT。Q7～Q10以及R4R5组成交叉耦合四管单元结构产生iPTAT电流；本发明利用PJFET夹断电压差呈负温特性进行电压叠加，通过引入高阶补偿电压分量到基准电压源中即通过引入高温漂电阻对I2电流进行二阶补偿，使输出电压温漂进一步降低，具有低温漂、低噪声、低时漂的优点。

主权项：1.一种具有二阶补偿的双阈值PJFET基准电路，其特征在于，包括：6个NPN三级管Q5～Q10、4个PNP三极管Q1～Q4、11个电阻R1～R11、2个PJFET管J1～J2以及一个运算放大器；PNP三极管Q1～Q4的发射极连接电源，PNP三极管Q1的基极连接PNP三极管Q2的基极、PNP三极管Q3的基极和PNP三极管Q2的集电极；NPN三级管Q5的集电极连接PNP三极管Q2的集电极，NPN三级管Q5的基极连接PNP三极管Q1的集电极和NPN三级管Q6的集电极，NPN三级管Q5的发射极连接NPN三级管Q6的基极和电阻R1的一端；PNP三极管Q3的集电极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接NPN三级管Q8的集电极、PJFET管J1的栅极和电阻R9的一端；NPN三级管Q7的基极连接NPN三级管Q7的集电极、电阻R2的一端和NPN三级管Q8的基极；NPN三级管Q7的发射极连接NPN三级管Q9的集电极和NPN三级管Q10的基极；NPN三级管Q8的发射极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接NPN三级管Q9的基极和NPN三级管Q10的集电极，NPN三级管Q10的发射极连接电阻R5的一端；PNP三极管Q4的集电极连接电阻R10的一端和电阻R11的一端，R10的另一端连接PJFET管J2的源极和运算放大器的反相输入端，电阻R11的另一端连接PJFET管J1的源极和运算放大器的同相输入端；PJFET管J1的栅极连接电阻R6的一端和电阻R7的一端；电阻R7的另一端连接电阻R9的一端和电阻R8的一端；电阻R2的另一端和电阻R6的另一端连接运算放大器的输出端；NPN三级管Q6的发射极、电阻R1的另一端、NPN三级管Q9的发射极、电阻R5的另一端、PJFET管J2的漏极、PJFET管J1的漏极和电阻R8的另一端均接地。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种具有二阶补偿的双阈值PJFET基准电路

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