申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941060A

主分类号：H01L23/485

分类号：H01L23/485;H01L21/60;H01L25/065;H10B80/00

优先权：["20210923 US 17/483,325"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：半导体管芯302,502,702,802,1202,1302采用转用晶种层318,518,1218,1318，这些转用晶种层用于形成到该管芯302,502,702,802,1202,1302的后端制程BEOL结构310,510,1210,1310的附加信号路径。晶种层318,518,1218,1318与该BEOL互连结构310,510,1210,1310相邻设置，并且在制造期间被选择性地移除以保留该晶种层318,518,1218,1318的一部分供转用，该部分将不具有互连凸块的UBM互连3264,5264耦合到具有凸起互连凸块308,508,708,710,808,1208,1308的UBM互连3261,3262,5261,1226,1326，使得可在该凸起互连凸块308,508,708,710,808,1208,1308与该BEOL互连结构310,510,1210,1310之间提供附加路由路径。多个凸起互连凸块3081,3082,808可耦合在一起。该BEOL互连结构310,510,1210,1310可包括金属化层，该金属化层包括重分布层RDL322,522,1224，该RDL具有互连320,520诸如金属焊盘。该UBM互连326,526可具有互连凸块间距P2,P3，其中不具有互连凸块的UBM互连3264,5264在水平方向上位于距所耦合的凸起互连凸块3082,5081的距离小于或大于该互连凸块间距P2,P3处。该管芯302,502,702可进一步包括功率分配网PDN，该PDN包括BEOL互连结构310,510中的接地平面和BEOL互连结构310,510中的正电源轨，其中不具有互连凸块的UBM互连3264,5264可耦合到功率分配网的接地平面、耦合到功率分配网的正电源轨、或耦合到被配置为携带输入输出IO信号的IO信号节点。该半导体管芯302,502,702,802,1202,1302可被包括在IC封装300,500,700,800,1200,1300中，该IC封装300,500,700,800,1200,1300包括：封装基板304,704,804,1204,1304和管芯302,502,702,802,1202,1302，该管芯通过凸起互连凸块308,508,708,710,808,12081,1308耦合到封装基板304,704,804,1204,1304。该IC封装1200,1300还可包括：第二管芯12022,13022，该第二管芯具有：与第一管芯12021,13021的那些有关的BEOL互连结构12102、UBM互连12262,13262、凸起互连凸块12082,13082和晶种层12182,13182，其中第二管芯12022可堆叠在第一管芯12021上，或者两个管芯可以是分体式管芯13021,13022，这两个管芯在水平方向上彼此相邻地耦合到封装基板1304并且通过该封装基板1304彼此耦合以提供管芯到管芯D2D连接。在制造半导体管芯302,502,702,802,1202,1302的方法中，可在晶种层318上形成光致抗蚀剂层1102并对其进行图案化，然后将金属材料设置在光致抗蚀剂层1102中的开口1104中以形成凸起互连凸块308并且随后移除光致抗蚀剂层1102，其中可在晶种层318和凸起互连凸块308上形成并图案化第二光致抗蚀剂层1108，然后在第二光致抗蚀剂层1108的第二开口1110中移除晶种层318而不移除耦合UBM互连326的晶种层318，随后移除第二光致抗蚀剂层1108。

主权项：1.一种集成电路IC封装，所述集成电路IC封装包括：管芯，所述管芯包括：后端制程BEOL互连结构；多个凸块下金属化UBM互连，每个凸块下金属化UBM互连耦合到所述BEOL互连结构，所述多个UBM互连包括：第一UBM互连；和第二UBM互连，所述第二UBM互连不具有耦合的互连凸块；和凸起互连凸块，所述凸起互连凸块耦合到所述第一UBM互连；其中所述管芯进一步包括：晶种层，所述晶种层将所述第一UBM互连耦合到所述第二UBM互连，以将所述凸起互连凸块耦合到所述第二UBM互连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 采用转用晶种层形成至后端制程（BEOL）结构的附加信号路径的具有互连凸块设计的半导体管芯以及相关集成电路（IC）封装和制造方法

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