申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117939981A

主分类号：H10K71/16

分类号：H10K71/16;C30B29/40;C30B25/16;C25B11/095;C25B11/067;C25B1/04;C25B1/55;H10K30/20;H10K71/15

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种InNCoNi‑MOF异质结光电极材料及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：采用分子束外延生长工艺在衬底上生长InN纳米柱；采用三电极系统，生长InN纳米柱的衬底作为工作电极，使用二价镍盐和二价钴盐的溶液作为电解质，5‑15mAcm2的电流密度条件下进行电沉积100‑140s，得到沉积NiCo‑LDH的衬底；将对苯二甲酸溶解于DMF、H2O和乙醇的混合溶剂中，加入沉积NiCo‑LDH的衬底，130‑150℃温度条件下水热反应16‑24小时，得到所述光电极材料。本发明的InNCoNi‑MOF异质结光电极材料具有高光电流密度和最大偏压光电转换效率，适用于光电解水产氢。

主权项：1.一种InNCoNi-MOF异质结光电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1采用分子束外延生长工艺在衬底上生长InN纳米柱；2采用三电极系统，步骤1生长InN纳米柱的衬底作为工作电极，使用非还原性二价镍盐和非还原性二价钴盐的溶液作为电解质，5-15mAcm2的电流密度条件下进行电沉积100-140s，得到沉积NiCo-LDH的衬底；3将对苯二甲酸溶解于DMF、H2O和乙醇的混合溶剂中，加入步骤2沉积NiCo-LDH的衬底，130-150℃温度条件下水热反应16-24小时，得到InNCoNi-MOF异质结光电极材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种InN/CoNi-MOF异质结光电极材料及其制备方法与应用

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