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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
申请日：2023-12-26
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117926404A
主分类号：C30B25/18
分类号：C30B25/18;C30B25/10;C30B25/16;C30B29/02;C30B1/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明涉及石墨烯的化学气相沉积法制备领域，具体为一种高质量均匀少数层单晶石墨烯薄膜的制备方法，适用于制备大面积高质量的均匀少数层单晶石墨烯薄膜。采用高溶碳量的单晶金属基底，采用两步化学气相沉积方法在单晶金属基底表面生长少数层单晶石墨烯：首先生长出包含多层石墨烯岛状结构的少数层单晶石墨烯薄膜，然后通过改变温度提高基底的碳溶解度，选择性溶解多层石墨烯岛状结构，最后获得层数均匀的少数层单晶石墨烯薄膜。本发明通过选择性去除不均匀多层结构以提高石墨烯的层数均匀性，可制备晶圆级均匀的少数层单晶石墨烯薄膜，为少数层石墨烯的物性研究和在光电器件、微电子器件、电子透明膜等领域的应用奠定了基础。
主权项：1.一种高质量均匀少数层单晶石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，采用高溶碳量的单晶金属基底，采用两步化学气相沉积方法在单晶金属基底表面生长少数层单晶石墨烯：首先生长出包含多层石墨烯岛状结构的少数层单晶石墨烯薄膜，然后通过改变温度提高基底的碳溶解度，选择性溶解多层石墨烯岛状结构，最后获得层数均匀的少数层单晶石墨烯薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种高质量均匀少数层单晶石墨烯薄膜的制备方法
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