申请/专利权人:深圳市迈迪杰电子科技有限公司
申请日:2024-01-25
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117935888A
主分类号:G11C29/08
分类号:G11C29/08;G11C29/12;G11C29/50;G11C11/401
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明涉及内存测试领域,特别是涉及一种DRAM内存颗粒测试系统及方法。包括以下步骤:在测试基板上电且自检程序通过时,启动测试程序对内存颗粒进行测试;在测试程序未通过时,获取接口模块发出的第一电压调节指令,并根据第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低;基于调高或调低的电源电压重启测试程序,直到测试程序通过。首先在测试基板上设置自检程序用于判断测试基板上的内存本身或安装等是否存在问题,然后在自检通过后启动测试程序,并基于测试程序结果对电源电压进行调节,然后根据调节后的电源电压再次启动测试程序,直到测试程序通过,从而确定内存颗粒问题点,该测试方法无需专用测试机台即可对内存颗粒进行测试。
主权项:1.一种DRAM内存颗粒测试方法,其特征在于,所述方法包括:在测试基板上电且自检程序通过时,启动测试程序对内存颗粒进行测试;在所述测试程序未通过时,获取接口模块发出的第一电压调节指令,并根据所述第一电压调节指令对电源电压进行先调高再调低;基于调高或调低的所述电源电压重启所述测试程序,直到测试程序通过。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳市迈迪杰电子科技有限公司 一种DRAM内存颗粒测试系统及方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。