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申请/专利权人：常州第六元素半导体有限公司;江苏江南烯元石墨烯科技有限公司
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117923473A
主分类号：C01B32/186
分类号：C01B32/186;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明涉及一种铜基多层石墨烯及其制备方法。包括：在铜基底表面生长首层石墨烯；控制温度使铜基底表面产生形变，使首层石墨烯与铜基底产生局部分离，且使首层石墨烯产生裂隙，裸露出部分铜基底；经铜基底的催化作用，碳源气体在铜基底表面形成碳原子，并在裂隙处重新堆叠生长形成多层石墨烯，且沿裂隙扩散生长多层石墨烯，最终与首层石墨烯共同在铜基底表面形成完整的多层石墨烯。本发明在一次生长石墨烯结束后通过快速降温、刻蚀使铜基裸露对二次生长起到催化作用，最终得到连续、高质量、高覆盖率的多层石墨烯。在无需外包铜箔以提高对含碳气体的催化分解效率的情况下，突破了铜箔自限制生长机理，实现在铜箔表面制备多层石墨烯。
主权项：1.一种铜基多层石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：在铜基底表面生长首层石墨烯；通过控制温度使所述铜基底表面产生形变，从而使所述首层石墨烯与所述铜基底产生局部分离，且使所述首层石墨烯产生裂隙，裸露出部分所述铜基底；在所述铜基底的催化作用下，碳源气体在所述铜基底表面形成碳原子，并在裂隙处重新堆叠生长形成多层石墨烯，且沿裂隙扩散生长多层石墨烯，最终与所述首层石墨烯共同在铜基底表面形成完整的多层石墨烯。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州第六元素半导体有限公司;江苏江南烯元石墨烯科技有限公司 铜基多层石墨烯及其制备方法
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