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申请/专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日：2023-12-25
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936365A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/683
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底，通过化学气相沉积工艺在衬底上形成过渡金属二卤化物层；对过渡金属二卤化物层进行预处理，以在过渡金属二卤化物层表面形成悬挂键；在过渡金属二卤化物层上形成成核层；在成核层上生长GaN外延结构。本发明通过在过渡金属二卤化物层上外延生长GaN层，可以获得高质量、高稳定性的GaN晶体。本发明通过采用机械剥离或激光剥离的方法，可以实现衬底完整分离；剥离后的衬底通过抛光研磨处理后可以重复应用，同时可以省去制造器件时衬底的研磨减薄工序。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，通过化学气相沉积工艺在所述衬底上形成过渡金属二卤化物层；对所述过渡金属二卤化物层进行预处理，以在所述过渡金属二卤化物层表面形成悬挂键；在所述过渡金属二卤化物层上形成成核层；在所述成核层上生长GaN外延结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞市中镓半导体科技有限公司 半导体器件的制作方法
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