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申请/专利权人：江苏万卓思微电子科技有限公司
申请日：2024-01-24
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117936388A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明公开了一种集成式超结MOS隔离终端的制造方法，涉及隔离终端制造技术领域，包括：获取外延片，对选取后的外延片使用标准光刻法进行处理并进行P型外延填充；对外延片的有源区进行处理得到P‑BODY结区域以及完整的隔离终端结构；对外延片进行后续处理；本发明用于解决现有技术中缺少在隔离终端的制作方面在缩短隔离终端的宽度、缩小管芯面积以及增加每片圆片的有效管芯数方面的制作改进，这会导致隔离终端区域的增加，极大的增加了集成式超结MOSFET的无效面积，减少了每片圆片的有效管芯数，增加了单颗管芯的成本的问题。
主权项：1.一种集成式超结MOS隔离终端的制造方法，其特征在于，包括：获取外延片，对选取后的外延片使用标准光刻法进行处理并进行P型外延填充；对外延片的有源区进行处理得到P-BODY结区域以及完整的隔离终端结构；对外延片进行后续处理，其中，后续处理包括生长氧化层、形成栅氧化层、沉积多晶硅、在NP区域进行注入推阱、生成绝缘膜并开孔、生成钝化层以及进行背面减薄处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏万卓思微电子科技有限公司 一种集成式超结MOS隔离终端的制造方法
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