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【发明公布】基于压电薄膜的高频声学超晶格谐振器及其制备方法_南京大学_202410104880.0 

申请/专利权人:南京大学

申请日:2024-01-25

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117938110A

主分类号:H03H9/17

分类号:H03H9/17;H03H3/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明公开了一种基于压电薄膜的高频声学超晶格谐振器及其制备方法,该器件包括由上而下依次叠加的上表面电极、压电薄膜声学超晶格、下表面电极、二氧化硅层和衬底,所述压电薄膜超晶格包括水平方向上周期性交替排列的正压电系数区域和负压电系数区域,周期性交替排列的压电系数分布可通过探针极化方法制备,实现亚微米周期。本发明通过人工调制的亚微米周期压电微结构激发声波,无需高精度电极图案,结构简单,能够降低欧姆损耗,增强声波能量局域,实现高谐振频率和高机电耦合系数。

主权项:1.一种基于压电薄膜的高频声学超晶格谐振器,其特征在于:包括由上而下依次叠加的上表面电极、压电薄膜声学超晶格、下表面电极、二氧化硅层和衬底,所述压电薄膜超晶格包括水平方向上周期性交替排列的正压电系数区域和负压电系数区域。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南京大学 基于压电薄膜的高频声学超晶格谐振器及其制备方法

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